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intel：EUV技術性已提前準備好，但仍遭遇極大挑戰
intel(Intel)EUV方案的責任人Britt Turkot表達，其極紫外線(EUV)微影技術性早已“搞好了提前準備…而且資金投入了很多的科研開發”。她一起表達，要掌控這一繁雜而價格昂貴的系統軟件來生產制造大批領跑集成ic，技術工程師們依然遭遇許多挑戰。
Turkot還詳細介紹，intel在俄勒岡州波特蘭市(Portland, Oregon)的超大加工廠中正運行著大如屋子的EUV系統軟件，但她并沒有表露EUV將怎樣或是不是用以該企業現階段的10納米技術(nm)商品或方案中的7納米技術連接點。
intel是二十幾年前協助開發設計這項技術的好多個半導體材料企業之首，但都是最終一間確定應用它的企業。上年，其競爭者三星手機(Samsung)和臺積電(TSMC)各自公布早已在應用EUV系統軟件來拓展其7納米技術連接點，以在硅芯片上保持最好的作用或特點。
殊不知，臺積電的N7+僅在4個金屬材料層上選用了EUV，這代表它依然必須在別的金屬材料層應用傳統式滲入式步進電機器的雙向圖樣曝出技術性。
臺積電的決策將會是“有關貨運量，她們有著的EUV設備總數，及其成本費上的衡量…三星手機將會會在EUV設備上做大量資金投入，”一名不肯表露名字的內部人士表達。
每一EUV系統軟件成本增加達大概1.5億美金，而商業生產流水線必須好幾個EUV。
臺積電新聞發言人孫又文表達：“人們的確在多層面中布署了雙向圖樣曝出技術性?！彼亟^表露臺積電在其N7+連接點中應用EUV的金屬材料疊加層數?！案鶕喾N多樣要素考慮到一起應用滲入式雙向圖樣曝出與EUV技術性，EUV的成本費和成熟情況與滲入式對比或許很關鍵。”
三星手機已經積極主動減少其選用EUV的7納米技術連接點價錢，它為某些原創企業出示了1個全方位掩模套服，其價錢小于其競爭者的雙層掩模(MLM)套服。臺積電于2007年發布了MLM套服用于減少小大批量生產的成本費，而聽說三星手機的全方位掩模套服其成本費只能MLM的60%上下。
三星手機回絕從總體上代工企業的產品報價或怎么使用EUV發帖子。一名三星手機高層住宅負責人推斷，intel延遲時間其10納米技術加工工藝的發布時間，一部分緣故取決于其勵志于建設地方案應用COAG(contact over active gate)技術性。她說，三星手機將逐漸向COAG邁入，但回絕出示關鍵點。
intel工程項目長(chief engineering officer)Murthy Renduchintala在他近期的一篇文章部落格文章內容連用勵志于建設來敘述該企業的10納米技術連接點。他表達10納米芯片已經資金投入生產制造，而7納米技術連接點已經優良進度中。
Turkot表達，intel都還沒決策將在是多少金屬材料層上選用EUV，并填補說，挑選在什么層上運用EUV是科學研究，一起都是造型藝術?！案鲗雍馁M的成本費并不是1個簡易的測算， 它并不是立即政治經濟學?！?
舉例來說，單獨EUV曝出能夠 將層的掩模數降低，有時候比例達至5：1。而滲入式步進電機器的雙向圖樣曝出則有利于減少邊沿置放不正確，她強調。
系統可靠性是危害成本費的另外自變量。intel現階段匯報的其EUV系統軟件一切正常運作時間約為75%~80%?！斑@一大數字長久看來是不夠的，但卻得以導入這項技術，”Turkot說。“人們期待它能超過90時代滲入式的一切正常運作時間?！?
Turkot強調，喜訊是關機時間“更非常容易分折”了。“以往這樣的事情極不能分折，(這促使)保持產品系列，及其深化開發量產線越來越很艱難?！?
可信性的改善絕大多數來源于于“掌握典型性意料中的微影小工具關機時間，創建專業技能迅速確診難題，并在全部精英團隊中執行必需的解決方法。”
對EUV貨運量的關心現階段關鍵集中化在燈源的輸出功率上。EUV燈源是1個重要且繁雜的部件，它穿透用雷射敲擊幾滴熔融的錫來造成光，殊不知，在實作中，Turkot提議了另外EUV部件—光粉塵收集器，其已經變成保證系統貨運量和一切正常運作時間的更關鍵的原素。
intelEUV系統軟件的燈源輸出功率范疇從205W~285W。在圓晶級別，“因為應用了粉塵收集器，他們出示同樣的輸出功率，”Turkot說?！暗珗A晶輸出功率由于粉塵收集器的衰退每日都會轉變?！?
這兒，再提及1個喜訊，就是說“ASML的總體目標很清楚，穿透拆換粉塵收集器來驅動器曝出源輸出功率和關機時間的改進…去除固定不動支出、拆換粉塵收集器、恢復系統并降低環境污染率，ASML在這種層面已獲得了挺大進度?！?
另一個，ASML如今出示這種稱為塑料薄膜的原膜，它能夠 維護圓晶免遭礦酸物體的危害，不然礦酸物體會環境污染他們并減少生產量。
憧憬未來，科學研究工作人員擔憂被稱作隨機指標的隨機誤差難題會毀壞或不可以進行用EUV系統軟件繪圖圖樣，這將限定他們在5納米技術及左右的運用。
Turkot卻對于表達開朗，隨之EUV燈源和抗蝕劑有機化學層面的發展，這種難題會獲得改進。
“光子美容打靶噪音能夠 穿透更大的曝光率來擺脫。而抗蝕劑中有機化學層面的發展則必須抗蝕劑界開展很多產品研發工作中。”
“她們務必掌握高效率能量曝出造成的二次電子和正離子中原材料的放熱反應…現在還沒有就化學物質隨機指標的量度達成協議，”Turkot注重，雖然早已有許多畢業論文討論了這一主題風格。
“針對現階段EUV的應用，我不會覺得隨機指標會對生產量有危害，但當EUV拓展到5納米技術及左右連接點時，這會是1個潛在性的限定要素。等你那天，期待抗蝕劑供應商早已對其有充足的了解能夠 擺脫它。重要是如今還要勤奮?！?
Turkot回憶初次見到今日的EUV系統軟件時，“它的巨大經營規模和多元性是輾壓性的”，而用以3納米技術及左右連接點的下代系統軟件也要大很多。
從總體上，Turkot覺得還有機會選用這一巨大的系統軟件來促進半導體技術發展趨勢是“十分有使用價值的”?！芭c一切新服務平臺相同，EUV的健全必須努力許多勤奮。人們的總體總體目標是保持無縫拼接銜接，在芯片生產全過程中看不出來有什么不同。”