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東芝Cortex-M MCU新路線圖
東芝透露了其Arm Cortex-M微控制器計劃，宣布200MHz（254 DMIPS）40nm部件“比現(xiàn)有的65nm器件功耗降低約30％”，并宣布采用SONOS內(nèi)存的130nm部件。
該系列分為兩個設備類：
使用Arm Cortex-M3或帶浮點單元（FPU）的Cortex-M4，在40nm處具有TXZxA +（“高端”為A）。采用Arm Cortex-M0，Cortex-M3或Cortex-M4內(nèi)核，SONOS存儲器而非閃存的130nm CMOS中的TXZxE +（E表示“輸入”）。
該公司表示：“通過東芝原始IP模塊的豐富，這些設備適用于各種目標應用，例如家用電器，工業(yè)和電機控制應用以及通信和數(shù)據(jù)處理。”
該 TXZxA +陣容將是“功能對準引腳兼容現(xiàn)有的65nm TXZ設備使客戶能夠無縫地遷移到新的微控制器系列”，東芝表示。
功能將包括一個內(nèi)置的高精度振蕩器（尚未指定精度）和一個不需要外部電容器的單電源調(diào)節(jié)器。
提供給《電子周刊》的信息也提到了“前置驅(qū)動器”，而沒有進一步說明-東芝通常使用該短語來描述mosfet柵極驅(qū)動器，以驅(qū)動繼續(xù)驅(qū)動電動機或d繼電器的外部mosfete-尋求澄清。
該公司表示，通用的寄存器圖和家庭內(nèi)部足跡兼容性將簡化設計和重復使用。
最初的工程樣品計劃于今年第三季度提供，然后在2021年第二季度提供客戶樣品并進行批量生產(chǎn)。
TXZxE + 部件將用于基本控制應用，并由東芝子公司日本半導體公司制造。他們將成為首批使用氧化硅，氮化硅，氧化硅（SONOS）非易失性存儲器而非閃存的東芝MCU。
該公司與Floadia合作開發(fā)了這種內(nèi)存，這就是Floadia的G1 SONOS，據(jù)說它的閃存泄漏較少。初始工程樣品計劃于第二季度進行，而客戶樣品和批量生產(chǎn)計劃于2020年第四季度進行。至少，在惡劣的工業(yè)環(huán)境中，某些TXZ +部件的額定工作溫度可達+ 125°C。
備注：68μA / MHz，而現(xiàn)有TMPM4G9F15FG為100μA / MHz。